109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти с интерфейсом SATA/SAS

Toshiba PX04SL

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/19K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (16nm, Toshiba)
Емкость системы: 2000 и 4000GB
Устойчивость к износу: не менее 0.5 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Micron/Crucial M510DC
  • Интерфейс подключения: SATA 2.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 65/30K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC
  • Доступные объемы: 120GB, 240GB, 480GB, 800GB, и 960GB
  • Устойчивость к износу: не менее 2 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
OCZ Saber 1000 HMS

Накопитель с настраиваемыми параметрами
Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 91/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 480 и 960GB
Устойчивость к износу: не менее 0.4 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Samsung PM863
  • Интерфейс подключения: SATA 2.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 99/18K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Доступные объемы: 120GB, 240GB, 480GB, 960GB, 1.92TB и 3.84TB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Samsung SM863
  • Интерфейс подключения: SATA 2.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 97/29K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC
  • Доступные объемы: 120GB, 240GB, 480GB, 960GB и 1.92TB
  • Устойчивость к износу: не менее 3.6 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Samsung PM1633
  • Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/37K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Доступные объемы: 480GB, 960GB, 1.92TB и 3.84TB
  • Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Samsung SM1635
  • Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/50K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC
  • Доступные объемы: 400GB, 800GB и 1.6TB
  • Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate 1200.2 Scalable Endurance

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 140/15K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 200, 400GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate 1200.2 Light Endurance

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 190/35K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 400, 480, 800, 960, 1600, 1920, 3200, 3840GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate 1200.2 High Endurance

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 210/70K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 200, 400GB
Устойчивость к износу: не менее 25 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate 1200.2 Mainstream Endurance

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 210/70K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 400, 800, 1600, 3200GB
Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Toshiba PX04SR

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 480, 960, 1600, 1920, 3840GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Страницы